三星演示 3nm MBCFET 芯片：采用纳米片结构制造晶体管

时间：2021-03-14 17:03

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IT之家3月13日消息三星电子和台积电目前都计划开展3nm制程工艺研发。据外媒TomsHardware消息，三星在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的3nmGAEMBCFET芯片的制造细节。第一种GAAFET晶体管的想法早在1988年便被提出，这项技术允许...

IT之家3月13日消息三星电子和台积电目前都计划开展 3nm 制程工艺研发。据外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造细节。

/>GAAFET 晶体管（闸极全环场效晶体管）从构造上有两种形态，是目前 FinFET 的升级版。三星表示传统的 GAAFET 工艺采用三层纳米线来构造晶体管，栅极比较薄；而三星 MBCFET 工艺使用纳米片构造晶体管，三星已经为 MBCFET 注册了商标。三星表示，这两种方式都可以实现 3nm，但取决于具体设计。<p align=